GaAs（gaas是什么材料）

火币资讯xiawei2023-09-23 00:30:2539

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砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的硼族、氮族半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等组件。

解析：由晶胞的结构知每一个砷化镓晶胞中含有 4 个 As 原子、 4 个 Ga 原子，因此砷化镓的化学式为 GaAs 。

砷化镓GaAs是典型的直接跃迁材料，当光子能量Ay大于禁带宽度Eg(t)时，对光的吸收系数可以写成即吸收系数和禁带宽度Eg(t)有直接的关系。

砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结电池。

对于绝缘体，分隔导带和满带的禁带宽度较大，激发电子需要很多能量，因此激发电子的数目就十分少，以致所引起的导电作用在实际中可以忽略。对于半导体，分隔导带与满带的禁带宽度较小，激发电子的数目较多，就可以导电。

GaAs（gaas是什么材料）

1、因为原子晶体构成原子晶体的微粒是原子，而砷化镓中含有砷原子和镓原子，微粒间的作用力是共价键，则其晶体熔点和沸点的高低则由共价键的的键长和键能决定。所以砷化镓是原子晶体。

2、镓砷(GaAs)是一种III-V半导体材料，其晶体结构属于闪锌矿型。在闪锌矿型晶体结构中，每个镓（Ga）原子都被四个砷（As）原子环绕，形成一个四面体。同样，每个砷原子也被四个镓原子环绕，也形成一个四面体。

3、砷化镓是属于闪锌矿型晶体类型，砷化镓是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。

砷化镓在当代光电子产业中发挥着重要的作用，其产品的50%应用在军事、航天方面，30%用于通信方面，其余的用于计算机和测试仪器。砷化镓材料的特殊结构使其具备吸引人的优良特性。

砷化镓的物理特性决定了以它为材料的半导体具有高能带，高截止频率，高功率等特点。适合高频率应用。在射频微波领域，相比cmos，砷化镓还有很广泛的应用。

砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。

电子物理特性砷化镓GaAs拥有一些比硅Si还要好的电子特性，如高的饱和电子速率及高的电子迁移率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。GaAs的的另一个优点它是直接能隙的材料，所以可以用来发光。

因此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化镓、磷化铟、锑化铟、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。

各种电器里面的电路也都要用到半导体器件。在电力系统（如晶闸管）、光电领域（激光、LED、CCD、照相机的镜头）都有广泛应用。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原子能给出电子的，其能级为施主能级，该半导体为n型半导体。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

砷化镓是一种重要的半导体材料。属于第八族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238摄氏度，它在600摄氏度以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。

(1)GaAs　(2)NH 3 ＞AsH 3 ＞PH 3 　(3)＞　(4)BCD 由晶胞的结构知每一个砷化镓晶胞中含有4个As原子、4个Ga原子，因此砷化镓的化学式为GaAs。

1、Gallium arsenide。是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。

2、镓特殊的物理性质，使其成为一种性能优良的电子材料。

3、性质：熔点-87℃。沸点50.5℃。密度124g/cm3。纯度≥9999％。采用精密精馏和配位体置换技术提纯。是可燃、有毒的液体。具有很强的大蒜气味。

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